Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs : simulación y aplicación en transistores de alta movilidad

Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs simulación y aplicación en transistores de alta movilidad

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Detalles Bibliográficos
Autor Corporativo: eLibro (Miami, Estados Unidos) (-)
Formato: Artículo digital
Idioma:Castellano
Materias:
Ingeniería > Publicaciones periódicas.
Engineering > Periodicals.
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Descripción
Publicado:Vol. 31, Num. 1 (2011)-
Notas:Autor/es: Rodríguez, Eduardo Martín.
Autor/es: González R., Estrella.
Responsable: e-libro, Corp.
Descripción Física:1 recurso en línea, 144-153 p.
Frecuencia de Publicación:Cuatrimestral
ISSN:22488723
Acceso:Requiere autenticación con la cuenta del campus virtual UPSA

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