Contribución al estudio de los centros profundos en dispositivos de potencia de silicio por técnicas termo-capacitivas
| Autor principal: | |
|---|---|
| Autor Corporativo: | |
| Formato: | Tesis |
| Idioma: | Castellano |
| Publicado: |
Valladolid :
Universitat
[s.a.]
|
| Materias: | |
| Ver en Universidad de Navarra: | https://innopac.unav.es/record=b18072239*spi |
| Descripción Física: | VII, 119 f. : il. ; 28 cm |
|---|---|
| Bibliografía: | Incluye referencias bibliográficas |
